MARC details
| 000 -الفاتح |
|---|
| حقل البيانات ثابتة الطول |
03298cam a2200445Ia 4500 |
| 003 - محدد رقم الضبط |
|---|
| رقم الضبط |
BUC |
| 005 - وقت وتاريخ اخر تعامل مع التسجيلة |
|---|
| رقم الضبط |
20220330085505.0 |
| 008 - عناصر البيانات ثابتة الطول - معلومات عامة |
|---|
| حقل البيانات ثابتة الطول |
200119s2006 enka gob 000 0 eng d |
| 010 ## - رقم ضبط مكتبة الكونجرس |
|---|
| رقم ضبط مكتبة الكونجرس |
2006299211 |
| 020 ## - الرقم الدولى المعيارى للكتب |
|---|
| الرقم الدولى المعيارى للكتاب |
1860946364 |
| 020 ## - الرقم الدولى المعيارى للكتب |
|---|
| الرقم الدولى المعيارى للكتاب |
9781860946363 |
| 020 ## - الرقم الدولى المعيارى للكتب |
|---|
| الرقم الدولى المعيارى للكتاب |
1860949037 (ebook) |
| 020 ## - الرقم الدولى المعيارى للكتب |
|---|
| الرقم الدولى المعيارى للكتاب |
9781860949036 (ebook) |
| 020 ## - الرقم الدولى المعيارى للكتب |
|---|
| الرقم الدولى المعيارى للكتاب |
9786611867218 |
| 020 ## - الرقم الدولى المعيارى للكتب |
|---|
| الرقم الدولى المعيارى للكتاب |
661186721X |
| 040 ## - مصدر الفهرسة |
|---|
| وكالة الفهرسة الأصلية |
BADR UNIVERSITY IN CAIRO |
| لغة الفهرسة |
eng |
| وكالة النسخ |
BADR UNIVERSITY IN CAIRO |
| قواعد الوصف |
rda |
| 041 ## - رمز اللغة |
|---|
| رمز لغة النص/ المسارات الصوتية أو العنوان الانفرادي |
eng |
| 050 #4 - تصنيف الكونجرس |
|---|
| رقم التصنيف |
TK7871.15.N57 |
| رقم المدخل |
A1299 2006eb |
| 082 04 - رقم تصنيف ديوى العشرى |
|---|
| رقم التصنيف |
541.377 |
| رقم الطبعة |
22 |
| رقم المادة |
INI |
| 245 10 - بيان العنوان |
|---|
| العنوان |
III-nitride |
| بقية العنوان |
semiconductor materials / |
| بيان المسئوليه,etc |
editor, Zhe Chuan Feng. |
| 260 ## - PUBLICATION, DISTRIBUTION, ETC. (IMPRINT) |
|---|
| مكان الناشر او الموزع |
London : |
| اسم الناشر او الموزع |
Imperial College Press ; |
| مكان الناشر او الموزع |
Singapore ; |
| -- |
Hackensack, NJ : |
| اسم الناشر او الموزع |
Distributed by World Scientific, |
| تاريخ النشر أو التوزيع |
c2006. |
| 300 ## - الوصف المادى |
|---|
| التعداد |
1 online resource (xii, 428 p.) : |
| تفاصيل ماديه اخرى للوعاء |
ill. |
| 504 ## - تبصرة ببليوجرافية |
|---|
| تبصرة ببليوجرافية,الخ |
.Includes bibliographical references |
| 505 ## - تبصرة محتويات-الفهرس |
|---|
| تبصرة المحتويات المصاغة |
Cover -- Contents -- Preface -- Chapter 1 Hydride vapor phase epitaxy of group III nitride materials -- 1. Introduction -- 2. Experiment -- 3. Material Properties -- 3.1. Undoped GaN layers -- 3.2. Si-doped GaN layers -- 3.3. Mg-doped GaN layers -- 3.4. Zn-doped GaN layers -- 3.5. AlN layers -- 3.6. AlGaN layers -- 3.7. InN and InGaN layers -- 4. New directions in HVPE development -- 4.1. Large area and multi wafer HVPE growth -- 4.2. Multi-layer structures -- 4.3. P-n junctions -- 4.4. Structures with two dimensional carrier gas -- 4.5. Nano structures and porous materials -- 5. Applications of HVPE grown group III nitride materials -- 5.1. Substrate applications -- 5.2. Device Applications -- 6. Conclusions -- Chapter 2 Planar MOVPE technology for epitaxy of III-nitride <br/> .materials -- 1. History of Reactor Development for III-Nitrides |
| 520 ## - التبصرة الخاصة بالتعليق أو التلخيص |
|---|
| ملخص,الخ |
III-Nitride semiconductor materials - (Al, In, Ga)N - are excellent wide band gap semiconductors very suitable for modern electronic and optoelectronic applications. Remarkable breakthroughs have been achieved recently, and current knowledge and data published have to be modified and upgraded. This book presents the new developments and achievements in the field. Written by renowned experts, the review chapters in this book cover the most important topics and achievements in recent years, discuss progress made by different groups, and suggest future directions. Each chapter also describes the basis of theory or experiment. The III-Nitride-based industry is building up and new economic developments from these materials are promising. It is expected that III-Nitride-based LEDs may replace traditional light bulbs to realize a revolution in lighting. This book is a valuable source of information for engineers, <br/> .scientists and students working towards such goals |
| 588 ## - الوصف مأخوذ من |
|---|
| الوصف مأخوذ من |
.Description based on print version record |
| 650 #0 - المدخل الاضافى بالموضوع-مصطلح موضوعى |
|---|
| مصطلح موضوعي أو اسم جغرافي كعنصر مدخل |
Semiconductors |
| التقسيم الفرعي العام |
Materials. |
| 650 #0 - المدخل الاضافى بالموضوع-مصطلح موضوعى |
|---|
| مصطلح موضوعي أو اسم جغرافي كعنصر مدخل |
Nitrides. |
| 650 #6 - المدخل الاضافى بالموضوع-مصطلح موضوعى |
|---|
| مصطلح موضوعي أو اسم جغرافي كعنصر مدخل |
Semiconducteurs. |
| 650 #6 - المدخل الاضافى بالموضوع-مصطلح موضوعى |
|---|
| مصطلح موضوعي أو اسم جغرافي كعنصر مدخل |
Nitrures |
| التقسيم الفرعي العام |
Propriétés électriques. |
| 650 #6 - المدخل الاضافى بالموضوع-مصطلح موضوعى |
|---|
| مصطلح موضوعي أو اسم جغرافي كعنصر مدخل |
Électronique |
| التقسيم الفرعي العام |
Matériaux. |
| 650 #6 - المدخل الاضافى بالموضوع-مصطلح موضوعى |
|---|
| مصطلح موضوعي أو اسم جغرافي كعنصر مدخل |
Dépôt en phase vapeur par organométalliques. |
| 650 #7 - المدخل الاضافى بالموضوع-مصطلح موضوعى |
|---|
| مصطلح موضوعي أو اسم جغرافي كعنصر مدخل |
SCIENCE |
| التقسيم الفرعي العام |
Chemistry |
| -- |
Physical & Theoretical. |
| مصدر الرأس أو المصطلح |
bisacsh. |
| 655 #4 - مصطلح تكشيفى-نوع/شكل |
|---|
| بيانات النوع/ الشكل أو المصطلح الأساسي |
Electronic books. |
| 700 1# - المدخل الاضافى - اسم شخصى |
|---|
| الإسم الشخصى |
Feng, Zhe Chuan. |
| 902 ## - عنصر بيانات محلىB, LDB (RLIN) |
|---|
| اسم المفهرس |
N.Tolba |
| 942 ## - عناصر المدخل الإضافي( كوها) |
|---|
| مصدر التصنيف او مخطط الترفيف |
|
| Koha [default] item type |
Books |